معرفی حافظه UFS 4.0 میکرون مجهز به 232 لایه NAND سه بعدی و سرعت بالاتر نسبت به سامسونگ

معرفی حافظه UFS 4.0 میکرون مجهز به 232 لایه NAND سه بعدی و سرعت بالاتر نسبت به سامسونگ

واحد خبر mobile.ir: این روزها علاوه بر گوشی های گران قیمت، حافظه پرسرعت UFS در مدل های میان رده و حتی ارزان قیمت نیز در بازار به چشم می خورد، هرچند که همچنان سریع ترین فناوری در این زمینه یعنی حافظه UFS 4.0 است. ، فقط برای پرچمداران است و مدل های ارزان تر از UFS 3.1 کندتر هستند و از UFS 2.2 استفاده می کنند. در می 2022، سامسونگ از راهکار حافظه UFS 4.0 این شرکت رونمایی کرد که در طول سال جاری در طیف گسترده ای از گوشی های پرچمدار استفاده شده است. شرکت آمریکایی Micron نیز حافظه UFS 4.0 خود را با تاخیر قابل توجهی در روز چهارشنبه 21 ژوئن 2023 (31 ژوئن 1402) منتشر کرد. رونمایی کرد که روی کاغذ سرعت بالاتری نسبت به مدل سامسونگ دارد.

به گفته سازنده، نسل جدید حافظه تلفن هوشمند تک ماژول میکرون در نوع خود سریعترین است و جدای از بهبود سرعت به دلیل مشخصات فناوری UFS، از NANDهای سریعتر و جدیدتر استفاده می کند که این محصول میکرون را در جایگاه بالاتری قرار می دهد. نسبت به رقیب اصلی خود. است. به غیر از گوشی‌های هوشمند و تبلت‌ها، امسال قرار است از این حافظه‌های جدید برای نوت‌بوک‌های کم مصرف نیز استفاده شود.

حافظه جدید UFS 4.0 میکرون در سه ظرفیت 256 گیگابایتی و 512 گیگابایتی و 1 ترابایتی با کنترلر اختصاصی این شرکت عرضه می شود و در این بین دو نسخه بزرگتر 512 گیگابایتی و 1 ترابایتی از NAND پیشرفته 232 لایه میکرون استفاده می کنند. حافظه، که خواندن و نوشتن را سرعت می بخشد. چیدمان در این مجموعه، آن را روی کاغذ به ترتیب به 4300 و 4000 مگابایت بر ثانیه افزایش می دهد. برای مقایسه بد نیست بدانید که حافظه UFS 4.0 سامسونگ به سرعت خواندن و نوشتن 4200 و 2800 مگابایت بر ثانیه دست یافت که بسیار کندتر از حافظه جدید میکرون به خصوص از نظر نوشتن است. بنابراین، حافظه 4.0 میکرونی UFS بالاترین عملکرد ماژول حافظه UFS است که تا به امروز برای گوشی‌های هوشمند ساخته شده است. ذکر این نکته ضروری است که نسخه 256 گیگابایتی این حافظه به دلیل استفاده از 3D NAND با کریرهای چهارگانه از سرعت کمتری نسبت به دو نسخه دیگر برخوردار است.

ماژول های UFS 4.0 میکرون به گفته سازنده، جدا از سرعت و کارایی بالاتر نسبت به نسل قبلی، 25 درصد راندمان انرژی بالاتری نیز دارند که با ترکیبی از عملکرد بالاتر و قابلیت ذخیره انرژی به دست می آید. افزایش 75 و 100 درصدی پهنای باند خواندن و نوشتن به ترتیب از دیگر مشخصات ذکر شده برای این حافظه جدید است.

استفاده از 232 لایه 3D NAND مزیت مهم دیگری برای این محصول میکرون دارد و باعث طراحی باریکتر آن شده است. ارتفاع ماژول حافظه در این محصول از 0.8 تا 0.9 میلی‌متر تجاوز نمی‌کند و به این ترتیب سازندگان گوشی‌های هوشمند می‌توانند بسته به ترجیحات خود گوشی‌ها را نازک‌تر کرده یا از باتری با ظرفیت بالاتر استفاده کنند.

میکرون در حال حاضر فرآیند نمونه برداری از حافظه جدید UFS 4.0 را برای برخی از تولیدکنندگان برتر گوشی های هوشمند آغاز کرده است و تولید انبوه آن به سه ماهه دوم سال جاری موکول شده است.